[发明专利]电化学深刻蚀方法及其装置无效
| 申请号： | 200410099139.2 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1631764A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;陈瑜;赖宗声 | 申请（专利权）人： | 上海纳晶科技有限公司;华东师范大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海德昭专利事务所 | 代理人： | 程宗德 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微机电系统器件的制作方法，尤其是电化学深刻蚀方法，还涉及电化学深刻蚀方法的装置，属于微电子以及微机电系统技术领域。本发明所述的电化学深刻蚀方法为，将传统的电化学深刻蚀装置添加与样品表面垂直的磁场，或者将电化学深刻蚀装置放在温度为－10℃～15℃的环境中进行。由于磁场的作用，限制横向电流，克服了在阳极氧化过程中存在横向侵蚀，以及在一些结构的边缘出现坍塌等现象。控制温度可以降低散流子的晶格散射几率，使电化学深刻蚀效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 深刻 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种电化学深刻蚀方法，首先，对样品背面进行同型离子注入并退火激活、在正面淀积掩膜层、通过光刻刻蚀掩膜层打开腐蚀窗口、利用各向异性腐蚀液形成倒金字塔结构，再放进电化学反应槽中进行阳极氧化，其特征在于：电化学深刻蚀过程在磁场中进行，且磁场的方向与样品表面垂直。
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