[实用新型]双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备

摘要

本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换，将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子束在淀积前对靶材或衬底材料进行原位轰击，实现表面材料的原子级清洗；或者轰击正在淀积的薄膜，原位改善薄膜的机械特性和电特性。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜，实现了不同薄膜层间的原子键合，使得膜层具有了粘附性牢、均匀性和致密性好、极小内应力的优点，大大地提高了薄膜的性能。

主权项

1、一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备，由真空室、主离子源、辅助离子源、淀积靶、旋转工件台、电子中和器、挡板、复合真空系统和机架组成，其特征在于：所述真空室是卧式或立式圆筒形，安装于机架上方，并与机架下方的复合真空系统相连接；所述主离子源有两个，对称放置于真空室中心垂直轴线两边与真空室水平轴线成34°～38°夹角的斜面上，且主离子源中心轴线与真空室水平轴线成52°～56°夹角；所述淀积靶有两个，对称分布于主离子源中心轴线与真空室水平轴线相交处；所述旋转工件台位于两个淀积靶中心连线的垂直平分线的上方，旋转工件台的下方安装有可通过位于真空室外的手柄调节的挡板；所述辅助离子源安装在真空室的后方正中下部，其中心轴线与真空室中心垂直轴线成40°夹角；所述电子中和器有三个，其中两个位于两个主离子源的下方，另一个位于辅助离子源的上方。