[发明专利]半导体发光元件及其制法,集成半导体发光元件及其制法,图像显示装置及其制法,照明装置及其制法无效
| 申请号： | 200480000358.9 | 申请日： | 2004-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN100442550C | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;铃木淳;大畑丰治 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制法 集成 图像 显示装置 照明 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：第一导电型的半导体层，形成在衬底的主面上并包括凸起晶体部分，所述凸起晶体部分具有倾斜晶面，该倾斜晶面由多个以不同倾角由主面倾斜的晶面组成以在整体上表现为凸面；至少一个有源层和一个第二导电型的半导体层，至少在晶体部分的倾斜晶面上被顺序层叠；第一电极，与第一导电型的半导体层电连接；以及第二电极，形成在晶体部分上面的第二导电型的半导体层上，并与所述第二导电型的半导体层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480000358.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
