[发明专利]低栅极感生的漏极泄漏的金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200480002308.4 | 申请日： | 2004-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101410951A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·拉登斯;奥默·H·多库马西;布鲁斯·B·多里斯;奥利格·格卢申科夫;杰克·A·曼德尔曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯 宇 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低GIDL电流MOSFET器件(90)结构及其制备方法，该器件提供了低GIDL电流。该MOSFET器件结构包含其边缘可与源极/漏极扩散(88，88)略微重叠的中部栅极导体(10)，以及通过薄的绝缘和扩散阻挡层(50，52)与中部栅极导体分开的侧翼栅极导体(70，70)。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 感生 泄漏 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件(90)，所述金属氧化物半导体场效应晶体管器件提供了低栅极感应的漏极泄漏电流，包括：源极扩散区(88)、漏极扩散区(88)和中部栅极(10)；所述中部栅极包括中部栅极导体(10)、左侧翼栅极导体(70)和右侧翼栅极导体(70)，其中，所述左侧翼栅极导体和右侧翼栅极导体中每一个都由薄的绝缘和扩散阻挡层(50，52)与中部栅极导体分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480002308.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于集成电路的功率半导体器件结构及其制造方法
- 下一篇：半导体存储装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
