[发明专利]放射线敏感性树脂组合物、其制造法以及使用其的半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200480003908.2 | 申请日: | 2004-02-05 |
公开(公告)号: | CN1748181A | 公开(公告)日: | 2006-03-15 |
发明(设计)人: | 村上健一;佐佐卓;吉川雄裕;西川雅人;木村健;木下义章 | 申请(专利权)人: | 飞索有限责任公司;AZ电子材料(日本)株式会社 |
主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;C08L101/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 使用至少含有(1)根据由多角光散射法的凝胶渗透色谱法计算的重均分子量聚苯乙烯换算值大于等于100万的超高分子量成分小于等于1ppm的,由碱可溶性树脂或用酸解离性保护基保护的碱不溶性或碱难溶性树脂构成的基体树脂;(2)由放射线的照射而产生酸的光酸产生剂及(3)溶剂的化学放大型放射线敏感性树脂组合物,将其在被加工对象2上涂布而形成光敏抗蚀剂膜3后,通过曝光、显影,形成小于等于0.2μm的微细抗蚀剂图案4。接着进行干式蚀刻,进行半导体装置的栅电极和孔形状、沟槽形状等的图案形成。由此,可以实现极少发生微桥等图案缺陷的图案形成。 | ||
搜索关键词: | 放射线 敏感性 树脂 组合 制造 以及 使用 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学放大型放射线敏感性树脂组合物,其是至少含有(1)基体树脂:碱可溶性树脂或用酸解离性保护基保护的碱不溶性或碱难溶性树脂;(2)由放射线的照射而产生酸的光酸产生剂及(3)溶剂的化学放大型放射线敏感性树脂组合物,其特征是,所述碱可溶性树脂或用酸解离性保护基保护的碱不溶性或碱难溶性树脂的重均分子量的聚苯乙烯换算值大于等于100万的超高分子量成分,根据由多角光散射法的凝胶渗透色谱法计算,在该组合物中小于等于0.2ppm。
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