[发明专利]溅射靶、光信息记录介质用薄膜及其制造方法有效
申请号: | 200480005976.2 | 申请日: | 2004-02-03 |
公开(公告)号: | CN1756857A | 公开(公告)日: | 2006-04-05 |
发明(设计)人: | 细野秀雄;植田和茂;矢作政隆;高见英生 | 申请(专利权)人: | 株式会社日矿材料 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;樊卫民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种溅射靶,其特征在于,含有以满足下式的氧化锌为主要成分的化合物:A、B分别为不相同的3价及以上的阳性元素,其价数分别为Ka、Kb时,AXBYO(KaX+KbY)/2(ZnO)m,1<m,X≤m,0<Y≤0.9,X+Y=2,且相对密度为80%及以上。它是不含ZnS和SiO2的ZnO基体的溅射靶,能在通过溅射而形成膜时,减小对基板加热等的影响,高速成膜,能把膜厚调整得薄,还能减少溅射时产生的粒子(発塵)及球状夹杂物,减小质量的偏差,提高量产性,且结晶粒微小,能获得具有80%以上,特别是90%以上的高密度的溅射靶。 | ||
搜索关键词: | 溅射 信息 记录 介质 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射靶,其特征在于,含有以满足下式的氧化锌为主要成分的化合物:A、B分别为不相同的3价及以上的阳性元素,其价数分别为Ka、Kb时,AXBYO(KaX+KbY)/2(ZnO)m,1<m,X≤m,0<Y≤0.9,X+Y=2,且相对密度为80%及以上。
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