[发明专利]溅射靶及其制造方法和光信息记录介质用薄膜及其制造方法有效
申请号: | 200480005978.1 | 申请日: | 2004-02-03 |
公开(公告)号: | CN1756858A | 公开(公告)日: | 2006-04-05 |
发明(设计)人: | 细野秀雄;植田和茂;矢作政隆;高见英生 | 申请(专利权)人: | 株式会社日矿材料 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种溅射靶,其特征在于,含有以氧化锌作为主要成分的化合物,并包含硫族化锌,且相对密度为90%以上,体电阻值为0.1Ωcm以下,所述化合物在A、B分别为不同的三价以上的阳性元素、其价数分别为Ka、Kb时,满足AxBYO (KaX+KbY)/2(ZnO) m、0<X<2、Y=2-X、1≤m。得到通过溅射形成膜时可以减少向基板的加热等的影响,能够高速成膜,可将膜厚调整得很薄,能够减少溅射时产生的颗粒(扬尘)或结核,质量偏差少地提高量产性,并且晶粒微细的高密度的溅射靶及其制造方法、以及特别适用于作为保护膜的光信息记录介质用薄膜及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 信息 记录 介质 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种溅射靶,其特征在于,含有以氧化锌为主要成分的化合物和硫族化锌,所述化合物在A、B分别为不同的三价以上的阳性元素、其价数分别为Ka、Kb时,满足AxBYO(KaX+KbY)/2(ZnO)m、0<X<2、Y=2-X、1≤m。
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