[发明专利]用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法有效
| 申请号： | 200480008258.0 | 申请日： | 2004-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1764739A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 哈特穆特·马尔考;克里斯蒂安·斯帕林 | 申请（专利权）人： | 埃托特克德国有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F3/06;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于蚀刻铜或铜合金的溶液，其可用于制备具有尽可能亮的铜表面以供随后金属镀敷之用。所述溶液的pH约为4或更低，且不含硫酸根离子。所述溶液包含：a)至少一种选自过氧化氢和过酸的氧化剂；b)至少一种选自芳族磺酸和芳族磺酸盐的物质；和任选的c)至少一种N－杂环化合物。本申请还公开了一种将金属沉积至铜或铜合金表面的方法。所述方法包括以下步骤：a)使所述表面与根据本发明的溶液接触；和b)用至少一种金属涂覆所述表面。所述溶液和所述方法特别适用于制造电路载体，更具体地，用于半导体制造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 表面 溶液 表面上 沉积 金属 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于蚀刻铜或铜合金的溶液，该溶液的pH为约4或更低，其包含：a)至少一种选自过氧化氢和过酸的氧化剂，和b)至少一种选自芳族磺酸和芳族磺酸盐的物质，其特征在于所述溶液不含硫酸根离子。
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