[发明专利]与MRAM器件中磁电子元件上的导电层形成接触的方法有效
| 申请号： | 200480010848.7 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1777955A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 格雷格里·W·格里恩柯维奇;布莱恩·R·布彻;马克·A·杜尔拉姆;凯利·凯勒;查尔斯·A·斯奈德尔;肯尼斯·H·史密斯;克拉伦斯·J·特拉希;理查德·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C8/02 | 分类号： | G11C8/02;G11C11/00;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用来与磁电子元件上的导电层形成接触的方法，包含在介质区上形成存储器元件层。第一导电层(26)被淀积在存储器元件层(18)上。第一介质层(28)被淀积在第一导电层(26)上，并被图形化和腐蚀，以便形成第一掩蔽层(28)。利用第一掩蔽层(28)，第一导电层(26)被腐蚀。第二介质层(36)被淀积在第一掩蔽层(28)和介质区上。部分第二介质层(36)被清除，以便暴露第一掩蔽层(28)。第二介质层(36)和第一掩蔽层(28)经受化学腐蚀，使第一掩蔽层(28)的腐蚀速率高于第二介质层(36)的腐蚀速率。这一腐蚀暴露出第一导电层(26)。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 磁电 元件 导电 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用来与磁电子元件上的导电层形成接触的方法，它包含下列步骤：在介质区上形成存储器元件层；在所述存储器元件层上淀积第一导电层；在所述第一导电层上淀积第一介质层；对所述第一介质层进行图形化和腐蚀，以便形成第一掩蔽层；利用所述第一掩蔽层，腐蚀所述第一导电层；在所述第一掩蔽层和所述介质区上淀积第二介质层，所述第二介质层包含不同于所述第一介质层的材料；清除部分所述第二介质层，以便暴露所述第一掩蔽层；以及对所述第二介质层和所述第一掩蔽层进行化学腐蚀，使所述第一掩蔽层的腐蚀速率大于所述第二介质层的腐蚀速率，对所述第一掩蔽层的所述腐蚀暴露出所述第一导电层。
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