[发明专利]具有高的湿蚀刻速率的硅氧烷树脂型抗反射涂料组合物无效
申请号: | 200480011376.7 | 申请日: | 2004-05-20 |
公开(公告)号: | CN1780874A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | B·钟;E·S·莫耶 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁公司 |
主分类号: | C08G77/38 | 分类号: | C08G77/38;C08L83/04;C09D183/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种组合物,其包括具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的硅氧烷树脂,其中各X独立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn,其中各m独立地是1到大约5的整数,Z是芳族部分,和各n独立地是1到大约6的整数;0<a<1,0<b<1,0<c<1,0<d<1,和a+b+c+d=1。本发明还公开了制备该硅氧烷树脂组合物的方法和在基材上制备抗反射涂层的方法,其中抗反射涂层由该硅氧烷树脂组合物获得。 | ||
搜索关键词: | 具有 蚀刻 速率 硅氧烷 树脂 反射 涂料 组合 | ||
【主权项】:
1、组合物,包含具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的硅氧烷树脂,其中各X独立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn,前提是至少一个X是-O-(CH2)m-Zn,其中Zn是含有n个芳环的多环芳烃部分,各m独立地是1到大约5的整数,Z是芳族部分,和各n独立地是1到大约6的整数;0<a<1,0<b<1,0<c<1,0<d<1,和a+b+c+d=1。
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