[发明专利]用于步骤Ⅱ的铜衬里和其他相关材料的化学机械抛光组合物及其使用方法无效
| 申请号： | 200480012929.0 | 申请日： | 2004-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101371339A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 彼得·弗施卡;大卫·伯恩哈德;卡尔·博格斯;迈克尔·达西罗 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于平坦化具有铜阻挡层部分的半导体晶片表面的CMP组合物和方法，所述组合物包括氧化剂、硼酸组分和研磨剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 步骤 衬里 其他 相关 材料 化学 机械抛光 组合 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于平坦化具有铜阻挡层部分的晶片表面的CMP组合物，所述组合物包括氧化剂、硼酸组分和研磨剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
