[发明专利]硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜有效
| 申请号： | 200480014798.X | 申请日： | 2004-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1795563A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 卢在相;洪沅义 | 申请（专利权）人： | 卢在相 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了对其中连续地形成绝缘层和硅薄膜的衬底中的硅薄膜进行退火的方法。该方法包括在加工过程中衬底不变形的温度范围内加热或预热硅薄膜，使得在其中产生本征载流子，从而降低电阻值到可能进行焦耳加热的值；和对经过预热的硅薄膜施加电场以通过载流子的移动诱导焦耳加热，从而进行结晶、消除晶体缺陷、和确保晶体生长。当使用该方法时，根据预热条件选择性地诱导对a－Si薄膜、a－Si/Poly－Si薄膜或Poly－Si薄膜的焦耳加热，从而在极短时间内制造优质Poly－Si薄膜而不损害衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 退火 方法 制造 多晶 | ||
【主权项】：
1.对其中连续地形成绝缘层和硅薄膜的衬底中的硅薄膜进行退火的方法，其包括步骤：在加工过程中衬底不变形的温度范围内加热或预热硅薄膜，使得在硅薄膜中产生本征载流子，从而降低电阻值到可能进行焦耳加热的值；和对经过预热的硅薄膜施加电场以通过载流子的移动诱导焦耳加热，从而进行结晶、消除晶体缺陷、和确保晶体生长。
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