[发明专利]半导体器件的端子结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200480014842.7 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1799144A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | R·J·格罗维 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331;H01L27/02;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种半导体器件具有半导体主体(22)，该半导体主体(22)包括有源区(7)和围绕有源区的端子结构(16)。该端子结构包括串联连接的多个横向晶体管器件(2a至2d)并且从有源区朝着半导体主体的外围边缘(42)延伸，具有齐纳二极管(8)，该齐纳二极管连接到横向器件中之一的栅电极(4)用于控制它的栅电压，以便在横向器件和齐纳二极管的两端分布有源区和外围边缘之间的电压差。该端子结构(16)能够以紧凑的方式耐受较高的电压，且其部件易于以和有源区(7)的部件相同的工艺步骤制备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 端子 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有半导体主体(22)的半导体器件，该半导体主体(22)包括有源区(7)和围绕有源区的端子结构(16)，该端子结构包括串联连接的多个横向晶体管器件(2a至2d)并且从有源区朝着半导体主体的外围边缘(42)延伸，具有齐纳二极管(8)，该齐纳二极管连接到横向器件中之一的栅电极(4)用于控制它的栅电压，以便有源区和外围边缘之间的电压差分布在横向器件和齐纳二极管的两端。
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