[发明专利]用于厚膜带的离子束辅助高温超导体(HTS)沉积无效
| 申请号： | 200480015467.8 | 申请日： | 2004-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1798617A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | V·塞尔瓦曼尼克姆;李喜均 | 申请（专利权）人： | 美国超能公司 |
| 主分类号： | B05D5/12 | 分类号： | B05D5/12;C23C14/00;H01L39/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 将离子源照射在将要进行涂布的基材上，从而提高用于制造超导材料的MOCVD、PVD或其它方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 厚膜带 离子束 辅助 高温 超导体 hts 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种连续制造涂层厚度超过1.5微米、临界电流超过200A/厘米宽度的高电流密度HTS带的方法，所述方法包括：当基材平移通过沉积反应器中的第一沉积区时，在所述基材上施涂第一厚度的涂层；并在所述基材平移通过该沉积反应器中的至少一个附加沉积区时，立即在所述基材上施涂附加厚度的涂层，其中在第一沉积区出口处的涂层厚度不超过1.5微米，且在基材平移通过至少最后的沉积区时，用离子束对基材进行轰击。
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