[发明专利]用于形成自组装单层的化合物的合成方法、形成自组装单层的化合物和用于半导体组件的层结构

摘要

本发明涉及用于形成自组装单层，特别地半导体组件用单层的化合物的合成方法，该方法的特征为a)它包括第一合成步骤，其中对ω－卤代链－1－烯(I)用能够进行π－π相互作用的基团，特别地含有至少一种芳族基团(Ar)的基团进行卤素的末端亲核取代，和b)将第一合成步骤的产物在第二合成步骤中氢化硅烷化。本发明也涉及形成自组装层的化合物，和层结构。本发明的合成方法因此能够有效生产化合物，产生高收率和简单清洁要求。

主权项

1.用于形成自组装单层的化合物的合成方法，所述自组装单层特别地是半导体组件用单层，其特征为a)第一合成步骤，其中在ω-卤代链-1-烯(I)的情况下，进行卤素被能够进行π-π相互作用的基团，特别地含有至少一种芳族基团(Ar)的基团的末端亲核取代，b)将第一合成步骤的产物在第二合成步骤中氢化硅烷化。