[发明专利]具有位于磁隧道结器件下面的位线的MRAM体系结构无效
| 申请号： | 200480017556.6 | 申请日： | 2004-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1809929A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 臧大化 | 申请（专利权）人： | 磁旋科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L23/48;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提供及使用磁存储器的方法和系统。所述方法和系统包括提供多个磁存储器单元、至少第一写入线和至少第二写入线。每个磁存储器单元都包括具有顶部和底部的磁元件。第一写入线连接到所述多个磁存储器单元的第一部分的磁元件的底部。第二写入线位于所述磁存储器单元的第二部分的每一个的磁元件的顶部之上。第二写入线与所述多个磁存储器单元的第二部分的每一个的磁元件电性绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 位于 隧道 器件 下面 mram 体系结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，包括：多个磁元件，所述多个磁元件的每一个都具有顶部和底部；至少第一写入线，其连接到所述多个磁元件的第一部分的每一个的底部；和至少第二写入线，其位于所述多个磁元件的第二部分的顶部之上，所述至少第二写入线与所述多个磁元件的第二部分的每一个电性绝缘。
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