[发明专利]提高感应耦合等离子体均匀性的侧壁磁体及与其使用的护罩有效
| 申请号： | 200480017849.4 | 申请日： | 2004-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1813332A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 龚则敬;唐先民;约翰·福斯特;丁培军;马克·施韦策;基斯·A·米勒;伊利娅·拉维斯凯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内屏壁，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 感应 耦合 等离子体 均匀 侧壁 磁体 与其 使用 护罩 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体溅射反应器，包括：真空室，围绕中心轴线布置并被构造成密封到溅射靶，其包括待溅射的表面材料；支座，当在用于支撑待处理的衬底的处理位置中时，其越过处理空间与所述靶相对，所述处理空间沿所述中心轴线延伸于所述靶和所述支座之间；RF线圈，围绕所述中心轴线布置；以及环形磁环，在所述RF线圈内部产生DC磁场，至少部分地沿布置在所述RF线圈径向外部的阵列，并且至少部分地与所述RF线圈在轴向上共存。
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