[发明专利]制作包括能带工程超晶格的半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200480018053.0 | 申请日： | 2004-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1813354A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J.·梅尔斯;吉恩·A.·C·S·F·伊普彤;迈尔柯·伊萨;斯科特·A.·柯瑞普斯;伊利佳·杜库夫斯基 | 申请（专利权）人： | RJ梅尔斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于通过形成超晶格而制造半导体装置的方法，该超晶格包括多个堆叠层组。所述方法也可包括形成用于引起载流子在相对堆叠层组平行的方向上输运通过超晶格的区域。超晶格的每个组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其限制在邻近基半导体部分的晶格内，以便超晶格在平行方向上载流子可具有比其它情形下高的迁移率。该超晶格也可具有公共能带结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 包括 能带 工程 晶格 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：形成超晶格，其包括多个堆叠的层组；和形成用于引起载流子在相对所述堆叠层组平行的方向上输运通过所述超晶格的区域；所述超晶格的每个层组包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层；所述能带修饰层包括至少一个非半导体单层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内，以便所述超晶格在平行方向上具有比其它情形更高的载流子迁移率。
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