[发明专利]用于控制涂覆金刚石的硅的电子迁移率和平坦度的方法以及所形成的结构有效
| 申请号： | 200480018229.2 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1813350A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | K·拉维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;C23C16/27;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了形成应变硅器件的方法以及所形成的结构。所述方法包括：在基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第一侧和第二侧上形成多晶硅层，其中基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧包括缺陷；将硅器件层键合至多晶硅层的第一侧；和从基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧移除缺陷，其中在硅器件层中导致了拉应变，这增加了应变硅器件层的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 金刚石 电子 迁移率 平坦 方法 以及 形成 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的方法，包括：形成涂覆金刚石的硅晶片，包括在硅衬底上形成金刚石层，这导致了硅衬底中压应变；和通过对涂覆金刚石的硅晶片的第一表面进行粗加工来调节涂覆金刚石的硅晶片的平整度。
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