[发明专利]用于多层集成电路的半可熔连接系统及其制造方法有效
| 申请号： | 200480018747.4 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1871704A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·J.·多伊尔 | 申请（专利权）人： | 阿纳洛格装置公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于多层集成电路的半可熔连接系统和方法，多层集成电路包括具有金属一层的第一层上的有源电路，该半可熔连接系统包括具有金属二层的第二层上的半可熔连接元件，金属二层适于与金属一层互连，以及置于第一层上的选择器电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 集成电路 半可熔 连接 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于多层集成电路的半可熔连接系统，多层集成电路包括具有金属一层的第一层上的有源电路，其包括：第二层上的半可熔连接元件，所述第二层具有适于与所述金属一层互连的金属二层，和置于所述第一层上的选择器电路。
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