[发明专利]在二阶或高阶分布反馈激光器中抑制空间烧孔的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200480020553.8 申请日: 2004-06-09
公开(公告)号: CN1823456A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 阿里·M·沙姆斯·让德赫·阿米里;伟·李;汤姆·哈斯利特;塞义德·穆斯塔法·萨迪吉 申请(专利权)人: 福托纳米公司
主分类号: H01S5/187 分类号: H01S5/187;H01L33/00
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司 代理人: 万学堂
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 一种半导体激光器结构(10),定义了具有活性层(22)的本征谐振腔,比邻所述活性层(22)的相对连接的覆层,底层(17)和电极(12),电流通过电极注入所述半导体激光器结构(10),使得所述激光器结构以至少表面发射的形式发射输出信号,所述本征谐振腔设置为在阻带的较长波长侧具有主导模态。用于侧向地限制光模态的例如隐藏式异质结构的结构包括在内。与所述本征谐振腔相关的二阶分布式衍射光栅(24),所述衍射光栅(24)具有多个光栅元件(27,28),这些光栅元件具有周期性交变的光学性质,当所述电流注入所述激光器结构所述光栅具有一定尺寸和形状以在本征谐振腔内产生反向流动的导模态,其中所述光栅的占空因子大于50%且小于90%。还提供了在本征谐振腔内用于所述反向流动导模态使相移的装置(26),以改变模态分布来增加所述输出信号的近场强度。
搜索关键词: 分布 反馈 激光器 抑制 空间 方法 设备
【主权项】:
1.一种表面发射半导体激光器包括:半导体激光器结构,定义了具有活性层的本征谐振腔,邻近所述活性层的相对连接的覆层,衬底和电极,电流通过电极注入所述半导体激光器结构以使所述激光器结构以至少表面发射的形式发射输出信号,所述本征谐振腔被配置为在阻带的较长波长侧具有主导模态;侧向地限制光模态的装置;与所述本征谐振腔相关的二阶分布式衍射光栅,所述衍射光栅具有多个光栅元件,这些光栅元件具有周期性交变的光学性质,当所述电流注入具有一定尺寸和形状以在本征谐振腔内产生反向流动的导模态的所述激光器结构所述光栅时,其中所述光栅的占空因子大于50%且小于90%;和用于在本征谐振腔内转移所述反向流动导模态的相位以改变模态分布和所述输出信号的辐射强度的装置。
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