[发明专利]含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物有效
| 申请号： | 200480022026.0 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1830202A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 竹井敏;岸冈高广;境田康志;新城彻也 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H04N1/38 | 分类号： | H04N1/38;H04N1/387 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其含有：具有被保护的羧基的化合物、具有可以与羧基反应的基团的化合物、和溶剂，或者一种形成下层膜的组合物，其含有：具有可以与羧基反应的基团和被保护的羧基的化合物、和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 具有 保护 羧基 化合物 形成 光刻 下层 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成光刻用下层膜的组合物，含有具有式(1)所示的被保护的羧基的化合物，(式中，R1、R2和R3分别表示氢原子或碳原子数为1～10的烷基，R4表示碳原子数为1～10的烷基，另外，R3和R4可以互相结合形成环)，具有可以与羧基反应的基团的化合物，和溶剂。
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