[发明专利]CMOS成像器的光电二极管熔丝标识无效
| 申请号： | 200480022502.9 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1833434A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | J·D·布鲁斯;R·帕尼卡茨 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15;H04N5/217 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在芯片上形成的CMOS图像像素阵列用于在像素阵列中存储已编程信息。在制造和测试期间，通过对像素加激光使光电二极管损坏来将制造批次和其它数据写入阵列。使用现有电路从像素阵列中读取已编程的数据。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 成像 光电二极管 标识 | ||
【主权项】：
1.一种具有数据存储的成像系统，包括：具有传感器阵列的芯片，所述传感器阵列包括用于提供表示入射到所述传感器阵列的光的信号的多个像素，其中部分所述像素用于提供已编程数据存储。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微米技术有限公司，未经微米技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480022502.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
