[发明专利]利用电子束的薄层高分辨率加工方法有效
| 申请号： | 200480023882.8 | 申请日： | 2004-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1839349A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 谢尔盖·巴宾;克劳斯·埃丁格;汉斯·W·P·科普斯;彼得拉·施皮斯;托尔斯滕·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 纳沃技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01J37/305;C23F4/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 德国罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及在真空室中蚀刻铬层的方法，该方法包括下列步骤：将卤素化合物引入真空室中，将电子束引导至待蚀刻的铬层区域上以及将含氧化合物引入到真空室中。在另一方面，本发明涉及高分辨移除金属和/或金属氧化物层的方法，所述金属和/或金属氧化物布置在绝缘体或具有较差导热性的衬底上，该方法包括下列步骤：将所述层布置在真空室内部，用具有3－30keV能量的聚焦电子束轰击所述层，其中定向电子束使得单位时间和面积的能量转移导致将所述层局部加热到其熔点和/或气化点之上，并且其中实施层的移除并没有向真空室中提供反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电子束 薄层 高分辨率 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.在真空室(1)中蚀刻金属和/或金属氧化物层(2、3)的方法，包括下列方法步骤：a.将卤素化合物(4)引入真空室(1)中；b.将电子束(6)引导至待蚀刻的金属层(2)区域上；c.将含氧化合物(5)引入到真空室(1)中。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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