[发明专利]用于制造场效应半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200480026427.3 | 申请日： | 2004-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1853277A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 白石诚司;阿多诚文 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层(5)的场效应半导体器件例如场效应晶体管(6)的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 场效应 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造在电流路径中使用碳纳米管的场效应半导体器件的方法，该方法包括使所述碳纳米管经历等离子体处理从而改变所述碳纳米管的物理或化学状态的步骤。
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