[发明专利]形成半导体封装的方法及其结构有效

专利信息
申请号: 200480027415.2 申请日: 2004-09-14
公开(公告)号: CN1856878A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 达文·S·马哈德万;迈克尔·E·查普曼;阿尔温德·S·萨利安 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/62;H05K9/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 通过在模制密封剂(35,62)上形成导电层(42,64)从而形成一种电磁干扰(EMI)和/或电磁辐射屏蔽。导电层(42,64)可以用引线与半导体封装(2,50)的引线框(10,52)电耦连。电耦连的执行如下:将引线框(10)的两个器件部分(2,4,6,8)引线接合在一起,然后通过在上面的模制密封剂(35)内形成一个凹槽(40)切割该引线键合(10)从而形成两个引线(33)。然后将导电层(42)与两个引线(33)的每一个电耦连。在另一个实施例中,在半导体单元片(57)上形成环状引线键合(61)。在模制密封之后,除去部分的模制密封剂(62)从而暴露环形引线键合(61)的一部分。然后在模制密封剂(62)和环形引线键合(61)暴露部分的上面形成导电层(64),从而使导电层(64)与环形引线键合(61)电耦连。
搜索关键词: 形成 半导体 封装 方法 及其 结构
【主权项】:
1.一种半导体封装(2),包括:引线框(10),其具有一个标签(13)和一个键合焊垫(33);半导体单元片(25),其附着到标签上并与键合焊垫电耦连;模制密封剂(35),其位于半导体单元片之上;导电层(42),其位于模制密封剂之上;以及引线(33),其将引线框电耦连于导电层。
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