[发明专利]金属薄膜芯片制造方法以及金属薄膜芯片制造装置无效

专利信息
申请号: 200480028684.0 申请日: 2004-09-29
公开(公告)号: CN1863937A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 隅田泰生;末吉秀一 申请(专利权)人: 独立行政法人科学技术振兴机构
主分类号: C23C14/58 分类号: C23C14/58;C23C16/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 董惠石
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了实现用低成本可以使金属薄膜的大的凹凸平坦化的金属薄膜芯片制造方法及金属薄膜芯片制造装置以及金属薄膜,本发明的金属薄膜芯片制造装置在容器(9)内具有:包含绝缘性基板(3)与加压部件(4)的加压装置(13);芯片设置台(5);加热装置(12),包含线圈(7)和向该线圈(7)供给交流电流的电源(8)。而且,在上述容器(9)中,设有排出该容器(9)内的空气的真空泵(11)。通过上述线圈(7)产生的磁通量,贯通被放置于上述芯片设置台(5)上的金属薄膜芯片(10)中的金属薄膜(1)。若磁通量贯通上述金属薄膜(1),则通过电磁感应,涡电流在该金属薄膜(1)内被感应。金属薄膜(1)通过该涡电流被加热到熔点或接近熔点。再者,由芯片设置台(5)产生的荷重,使绝缘性基板(2)或绝缘性基板(3)表面的轮廓转移到金属薄膜(1)并被平坦化。
搜索关键词: 金属 薄膜 芯片 制造 方法 以及 装置
【主权项】:
1.一种金属薄膜芯片制造装置,其能使在第一绝缘基板上形成的金属薄膜的表面平坦化,其特征在于,它具有下列部件:设置上述金属薄膜芯片的设置台;加压装置,用第二绝缘基板,从与金属薄膜的表面垂直的方向夹住设置在设置台上的金属薄膜芯片的金属薄膜,并且对其进行加压;对设置在设置台上的金属薄膜芯片的金属薄膜加热的加热装置。
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