[发明专利]用于处理电介质膜的方法和系统有效
| 申请号： | 200480029705.0 | 申请日： | 2004-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN101416277A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 多雷尔·伊万·托玛;朱建红;浜本和裕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/31;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李 剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于处理电介质膜的方法和系统，包括将电介质膜的至少一个表面暴露于含CxHy材料，其中x和y分别是大于或者等于1的整数。电介质膜可以包括具有或者没有孔的低介电常数膜，其具有在干法刻蚀处理之后形成在其中的刻蚀构件。作为刻蚀处理和灰化的结果，形成在电介质膜中的构件中的暴露表面可能被损伤或者活化，导致污染物的残留、水分吸附、介电常数增大等。通过执行修复这些表面以例如恢复介电常数(即减小介电常数)和清洁这些表面以去除污染物、水分或者残余物这样的操作中的至少之一，诸如这些的损伤表面被处理。而且，阻挡层的制备和膜中的构件的金属化可以包括通过执行对构件的侧壁表面进行密封以封闭暴露的孔来进行处理并且提供用于阻挡膜沉积的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 电介质 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种处理电介质膜的方法，包括：将所述电介质膜的至少一个表面暴露于含CxHy材料，其中：x和y分别是大于或者等于1的整数，并且所述电介质膜具有小于SiO2的介电常数的介电常数值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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