[发明专利]低活化能含硅抗蚀剂体系

摘要

本发明提供了倍半硅氧烷聚合物、含有所述倍半硅氧烷聚合物的抗蚀剂组合物，其中至少部分倍半硅氧烷聚合物含有氟化残基并且至少部分倍半硅氧烷聚合物含有对于酸催化断裂而言具有低活化能的作为侧基的抑制溶解度的酸不稳定残基，并且使高光学密度的存在最小化或得以避免。本发明的聚合物还含有提高抗蚀剂在碱性水溶液中的碱溶解度的作为侧基的极性残基。本发明的聚合物特别可用于正性抗蚀剂组合物。本发明包括将所述抗蚀剂组合物用于在基材上形成图案结构的方法，特别是多层(例如双层)光刻法，所述光刻法能够在波长为例如193nm和157nm下生产高分辨率的图像。

主权项

1、一种抗蚀剂组合物，所述组合物包含：酸敏成像聚合物；和辐射敏感酸发生剂，其中所述成像聚合物含有倍半硅氧烷骨架和对于酸催化剂断裂而言具有少于约20kcal/mol的低活化能的作为侧基的抑制溶解度的酸不稳定残基，其中所述酸不稳定残基在室温下可断裂并且其中至少部分所述成像聚合物为氟化抗蚀剂，并且其中所述成像聚合物包含单体单元(II)和(III)、(III)和(IV)或单元(II)和(V)的组合，其中单体单元(II)和(III)由下式描述：和其中各个R³独立地选自氢原子、卤素原子、直链烷基、支化烷基、氟化直链烷基、氟化支化烷基、氟代环烷基、氟代芳基或其任何组合，各个X独立地选自氧原子、硫原子、NR³、直链烷基、支化烷基、氟化直链烷基、氟化支化烷基、氟代环烷基或氟代芳基，其中p为1或0的整数，各个Y彼此独立地选自直链烷基、支化烷基、氟化直链烷基、氟化支化烷基、氟代环烷基或氟代芳基，其中q为1或0的整数，各个R⁴独立地选自氟原子、氟化直链烷基、氟化支化烷基、氟代环烷基、氟代芳基或其任何组合，各个R⁵独立地是抑制溶解度的基团，和各个R⁶独立地是提高溶解度的基团；且单体单元(IV)和(V)由下式描述：和