[发明专利]镁基铁氧体、含有该铁氧体的电子照相显影载体以及含有该载体的显影剂有效
| 申请号： | 200480032223.0 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101120420A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 饭沼秀彦;林政友;松浦夏树;小熊幸成 | 申请（专利权）人： | 关东电化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/34 | 分类号： | H01F1/34;C04B35/26;G03G9/00;H01F1/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有高电介质击穿电压和适于电子照相显影饱和磁化强度的镁基铁氧体、包含铁氧体的载剂和包含该载剂的电子照相显影剂。本发明的镁基铁氧体材料包含Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al、Ga、Si、Ge、P、Sb、Bi或其组合。该镁基铁氧体材料的饱和磁化强度为30至80emu/g，电介质击穿电压为1.5至5.0kV。该镁基铁氧体材料能实现高的影像质量且符合环境规范。 | ||
| 搜索关键词： | 铁氧体 含有 电子 照相 显影 载体 以及 显影剂 | ||
【主权项】：
1.一种镁基铁氧体材料，该镁基铁氧体材料具有式(1)的组成：XaMgbFecCadOe (1)其中，X是Li、Na、K、Rb、Cs、Sr、Ba、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al、Ga、Si、Ge、P、Sb、Bi或其组合；以及a、b、c和d满足0.001≤R(X)≤0.15，其中，R(X)由以下公式表示：R(X)＝a×(Aw(X)+(n/2)×Aw(O))/(a×(Aw(X)+(n/2)×Aw(O))+b×Fw(MgO)+(c/2)×Fw(Fe2O3)+d×Fw(CaO))；Aw(X)和Aw(O)分别是X的原子量和O的原子量；n是X的氧化数；Fw(A)是A的分子量，0.01≤b/(b+c/2)≤0.85，且0≤R(Ca)≤0.15，其中，R(Ca)由以下公式表示：R(Ca)＝d×Fw(CaO)/(a×(Aw(X)+(n/2)×Aw(O))+b×Fw(MgO)+(c/2)×Fw(Fe2O3)+d×Fw(CaO))；其中，Fw(A)与在R(X)中定义相同；e由X、Mg、Fe和Ca的氧化数确定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于关东电化工业株式会社，未经关东电化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480032223.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
