[发明专利]藉利用硅化物生长掺杂物雪耙效应于装置中形成陡接面有效
| 申请号： | 200480035297.X | 申请日： | 2004-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1886838A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | W·P·马斯扎拉 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明系提供一种具有半导体衬底(102)的陡接面装置(100)的形成方法。在半导体衬底(102)上形成(1104)栅极电介质(104)，且在栅极电介质(104)上形成(1106)栅极(106)。在邻近于栅极(106)及栅极电介质(104)的半导体衬底(102)上形成侧壁间隙壁(200)。藉由在邻近于侧壁间隙壁(200)的半导体衬底(102)上选择性外延成长形成(1110)加厚层(300)。在加厚层(300)的至少一部分中形成(1112)隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)。在隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)的至少一部分中形成(1114)硅化物层(602，604)以在硅化物层(602，604)之下形成源极/漏极区域(606，608)，该源极/漏极富含来自硅化物层(602，604)的掺杂物。在硅化物层(602，604)上沉积介电层(900)，然后在介电层(900)中形成至硅化物层(602，604)的接触(1002，1004)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 硅化物 生长 掺杂 物雪耙 效应 装置 形成 陡接面 | ||
【主权项】：
1.一种形成装置(100)的方法(1100)，包括：提供(1102)半导体衬底(102)；在半导体衬底(102)上形成(1104)栅极电介质(104)；在栅极电介质(104)上形成(1106)栅极(106)；在半导体衬底(102)上邻近于栅极(106)及栅极电介质(104)形成(1108)侧壁间隔壁(200)；在半导体衬底(102)上邻近于侧壁间隔壁(200)通过选择性外延生长形成(1110)加厚层(300)；在加厚层(300)的至少一部分中形成(1112)隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)；在隆起的源极/漏极掺杂物注入区域(402，404)的至少一部分中形成(1114)硅化物层(602，604)以在硅化物层(602，604)之下形成源极/漏极区域(606，608)，该源极/漏极区域富含来自硅化物层(602，604)的掺杂物；在硅化物层(602，604)上沉积(1116)介电层(900)；以及在介电层(900)中形成(1118)对硅化物层(602，604)的接触(1002，1004)。
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