[发明专利]从冶金级硅中去除杂质以制得太阳能级硅的方法无效
| 申请号： | 200480035884.9 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1890177A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | G·伯恩斯;J·拉博;S·伊尔麦茨 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过去除金属杂质和非金属杂质提纯冶金级硅。目的是制得适合用作太阳能级硅的硅产品。该方法包括将含有金属和非金属杂质的冶金级硅研磨成由直径小于大约5mm的硅颗粒构成的硅粉。将研磨后的硅粉保持在固态的同时，将其在减小的压力下加热到某个低于硅熔点(1410℃)的温度。将加热后的研磨硅粉在此温度下保持足够长的一段时间以从冶金级硅中去除至少一种金属或者非金属杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 级硅中 去除 杂质 太阳 能级 方法 | ||
【主权项】：
1.提纯硅的方法，该方法通过从冶金级硅中去除金属杂质和非金属杂质来制得适合用作太阳能级硅的硅，该方法包括步骤(i)将含有金属杂质和非金属杂质的冶金级硅研磨成由平均直径小于大约5mm的硅颗粒构成的硅粉；(ii)将研磨硅粉保持在固态的同时，将研磨硅粉在减小的压力下加热到低于硅熔点的某个温度；以及(iii)将加热的研磨硅粉在所述温度下保持足够长的一段时间，以能够去除至少一种金属或者非金属杂质。
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