[发明专利]用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底有效
| 申请号： | 200480037136.4 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1894093A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·P·沃多;徐学平;杰弗里·S·弗林;乔治·R·布兰德斯 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C30B29/38;C30B29/40;H01L21/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种III－V族氮化物例如GaN衬底，包括以从约0.2至约10度范围内的切割角，从主要朝向<1010>方向或50×50μm2 AFM扫描仪测量的小于1nm的RMS粗糙度和小于3E6cm－2的位错密度。通过相应的晶棒或晶片白片的切割划片，通过例如切割蓝宝石的相应的连位异质外延衬底上的衬底本体的切割研磨或生长，形成该衬底。在制造III－V族氮化物基的微电子和光电子器件中，该衬底有利地用于同质外延淀积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 质量 同质 外延 氮化 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种GaN衬底，包括以大约0.2至大约10度范围内的切割角，从主要朝向选自由<1010>和<1120>方向组成的组中的方向的<0001>方向切割的GaN(0001)表面，其中所述表面具有通过50×50μm2 AFM扫描仪测量的小于1nm的RMS粗糙度和小于3E6cm-2的位错密度。
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