[发明专利]MRAM技术中用于MTJ中的合成反铁磁结构有效
| 申请号： | 200480037446.6 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1894801A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 斯里尼瓦斯·V·皮耶塔姆巴拉姆;雷努·W·戴夫;乔恩·M·斯劳特;孙继军 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于磁阻随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结(MTJ)(10)，具有自由层(14)，该自由层是合成反铁磁(SAF)结构。该SAF(14)包括由耦合层(28)分隔的两个铁磁层(26，30)。耦合层(28)具有非磁性的基材料和改善热耐久性、SAF(14)的耦合强度控制和磁阻比(MR)的其它材料。优选的基材料是钌，优选的其它材料是钽。为了增强这些优点，在钽和铁磁层之一之间的界面处增加钴－铁。另外，耦合层(28)甚至可具有更多的层(38、40)，并且使用的材料可以变化。另外，耦合层(28)本身可为合金。 | ||
| 搜索关键词： | mram 技术 用于 mtj 中的 合成 反铁磁 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道结(MTJ)，包括：第一电极和第二电极；所述第一与第二电极间的隧道阻挡；所述第一电极与所述隧道阻挡间的自由合成反铁磁(SAF)；所述隧道阻挡与所述第二电极间的固定层；其中所述自由SAF包括：第一层和第二层，其中所述第一和第二层是铁磁的；所述第一和第二层间的第三层，其中所述第三层包括基材料；所述第三层和所述第二层间的第四层，其中所述第四层包括钽。
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