[发明专利]用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法无效
| 申请号： | 200480038478.8 | 申请日： | 2004-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1898609A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 亚恩·博罗多夫斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种复合图形化技术可以包括两个光刻过程。第一光刻过程可以使用干涉光刻在光致抗蚀剂上形成具有基本相等宽度的线和间隙的干涉图形。第二光刻过程可以使用一种或更多种非干涉光刻技术，例如光学光刻、压印光刻和电子束光刻，来打断图形化的线的连续性，并形成预期的集成电路特征。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图形 不同 宽度 复合 光学 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种系统，包括：第一装置，所述第一装置用于将线和间隙的干涉图形辐射到光致抗蚀剂上，所述线具有基本相等的第一宽度，所述间隙被曝露给辐射；以及第二装置，所述第二装置用于辐射所述光致抗蚀剂的选定区域，所述选定区域将所述线的部分曝露给辐射，其中被所述第二子系统曝光的所述选定区域的节距至少是所述干涉图形的节距的1.5倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480038478.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种PCR方法
- 下一篇：为解调接收信号确定接收信号频率的方法和电路装置
