[发明专利]包含对各个存储单元的多写入脉冲编程的NAND存储阵列及其操作方法无效
| 申请号： | 200480041184.0 | 申请日： | 2004-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1910701A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈恩星;安德鲁·J·沃克;罗伊·E·朔伊尔莱因;苏切塔·纳拉莫图;阿尔佩尔·伊尔克巴哈尔;卢卡·G·法索利 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种实例性的NAND串存储阵列，其可实现对半选存储单元沟道的容性升压以减轻所述半选单元的编程扰动影响。为减轻泄漏电流使所述升高的电平降低的影响，使用多个具有变短的持续时间的编程脉冲来限制这些泄漏电流可使未选定NAND串内的电压降低的时间周期。此外，对于未选定的与所选定的NAND串二者来说，每一NAND串的一端或两端处的多个串联选择装置可进一步确保降低通过这些选择装置的泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 各个 存储 单元 写入 脉冲 编程 nand 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于操作一具有一存储阵列的集成电路的方法，所述存储阵列包含布置成复数个串联连接的NAND串的存储单元，所述存储单元包括可修改电导的开关装置，所述方法包括以脉冲使一所选定字线达到一编程电压若干次以达到用于一所选定存储单元的一总的编程时间、同时将各单个编程脉冲限制至持续时间明显小于所述总的编程时间，由此限制一所选定区块的NAND串内的泄漏电流效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D公司，未经桑迪士克3D公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480041184.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
