[发明专利]微电子中的铜电镀有效
| 申请号： | 200480041898.1 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1918327A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 文森特·派纳卡西奥;林宣;保罗·费古拉;理查德·赫图拜斯 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在所涉及的微电子元件的制造中电镀铜到基板上的方法和组合物、和包括铜离子源和用于整平的取代吡啶基聚合物化合物的电解溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 中的 电镀 | ||
【主权项】：
1、一种在微电子元件制造中将铜电镀到具有电互连结构元件的基板上的方法，所述方法包括：将所述基板浸入包括下述成分的电解溶液中；铜离子源，它的量足够将铜电沉积到基板上和电互连结构元件中；一个或多个超级填充剂组合物，其促进铜在互连结构元件中的沉积，其中结构元件在垂直方向上的生长速度比在水平方向上的生长速度大得多，其中所述超级填充剂组合物选自包括加速剂、抑制剂、及其组合的组；及整平剂，包括取代吡啶聚合物化合物，其具有基本不妨碍超级填充的整平效果；及将电流供给电解溶液，以将铜沉积到基板上。
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