[发明专利]减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷有效
| 申请号： | 200480042246.X | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1926266A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | M·J·奥洛克林;J·J·苏马克里斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了在离轴衬底上制造单晶碳化硅外延层的方法，包括步骤：将衬底置于外延生长反应室内，在衬底上生长第一层外延碳化硅，中断第一层外延碳化硅的生长，腐蚀第一层外延碳化硅以减小第一层的厚度，以及在第一层外延碳化硅上再次生长第二层外延碳化硅。通过下述工艺可以终止胡萝卜缺陷：中断外延生长、腐蚀所生长的层以及再次生长第二层外延碳化硅。该生长中断/腐蚀/再次生长可以重复多次。碳化硅外延层具有至少一个终止在所述外延层内的胡萝卜缺陷。本发明还提供了一种半导体结构，包括离轴碳化硅衬底上的碳化硅外延层，以及在衬底和外延层之间界面附近中具有成核点的胡萝卜缺陷，其中该胡萝卜缺陷终止在外延层内。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 碳化硅 外延 中的 胡萝卜 缺陷 | ||
【主权项】：
1.一种在离轴碳化硅衬底上制造单晶碳化硅外延层的方法，包括步骤：在所述衬底上生长第一层外延碳化硅；腐蚀所述第一层外延碳化硅以减小第一层的厚度；以及在腐蚀的第一层外延碳化硅上生长第二层外延碳化硅。
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