[发明专利]具有高深宽比的光栅结构的制造方法无效
| 申请号： | 200480043098.3 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1985195A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赛里奥·多尼达;罗马诺·莫森;斯蒂芬诺·萨多 | 申请（专利权）人： | 皮雷利&C.有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B6/12;G02B6/34;G02B6/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及实现光栅结构(200)的方法，其包括提供层状结构(100)的步骤，所述层状结构包括衬底(11)、光栅层(12)、包含多晶硅的第一掩模层(13)、电介质层(14)和第二掩模层(15)。另外，在第二掩模层(15)上沉积抗蚀剂层(16)，并且按照所选图案将抗蚀剂层(16)暴露于电子束下；按照所述图案显影抗蚀剂层(16)；使用显影的抗蚀剂层作为掩模刻蚀第二掩模层(15)以形成图案化的第二掩模层(15’)；使用所述图案化的第二掩模层(15’)作为硬掩模刻蚀电介质层(14)以形成图案化的电介质层(14’)；使用所述图案化的电介质层(14’)作为硬掩模刻蚀第一掩模层(13)以形成图案化的第一掩模层(13’)；并且使用所述图案化的第一掩模层(13’)作为硬掩模刻蚀光栅层(12)以形成光栅结构(200)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高深 光栅 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现光栅结构(200)的方法，其包括下面的步骤：-提供层状结构(100)，其包括衬底(11)、光栅层(12)、包含多晶硅的第一掩模层(13)、电介质层(14)和第二掩模层(15)；-在所述第二掩模层(15)上沉积抗蚀剂层(16)；-按照所选图案将抗蚀剂层(16)暴露于电子束下；-按照所述图案显影抗蚀剂层(16)；-使用显影的抗蚀剂层作为掩模刻蚀所述第二掩模层(15)以形成图案化的第二掩模层(15’)；-使用所述图案化的第二掩模层(15’)作为硬掩模刻蚀所述电介质层(14)以形成图案化的电介质层(14’)；-使用所述图案化的电介质层(14’)作为硬掩模刻蚀所述第一掩模层(13)以形成图案化的第一掩模层(13’)；-使用所述图案化的第一掩模层(13’)作为硬掩模刻蚀所述光栅层(12)以形成光栅结构(200)。
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