[发明专利]生产沸石薄膜的方法无效
| 申请号： | 200480044525.X | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101072626A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 阿纳帕姆·米特拉 | 申请（专利权）人： | 株式会社物产纳米技术研究所 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01J37/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种在多孔基材上生产致密结晶沸石薄膜的方法，该沸石薄膜表现出处于平衡状态的通量和分离能力。该方法包括用第一粉末涂布多孔基材表面，用第二粉末涂布第一粉末涂布的多孔基材表面，并将第一粉末和第二粉末涂布的多孔基材与结晶沸石用前体介质相接触，以进行沸石的热液合成，其中第一粉末是对结晶沸石薄膜生长基本上没有帮助的粉末，并且其中第二粉末是促进结晶沸石薄膜生长的结晶沸石粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在多孔基材上生产结晶沸石薄膜的方法，其包括用第一粉末涂布该多孔基材表面，用第二粉末涂布该第一粉末涂布的多孔基材表面，并将该第一粉末和第二粉末涂布的多孔基材与结晶沸石用前体介质相接触，以进行沸石的热液合成，其中该第一粉末是对结晶沸石薄膜生长基本上没有帮助的粉末，且其中该第二粉末是促进结晶沸石薄膜生长的结晶沸石粉末。
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