[发明专利]绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术有效
| 申请号： | 200510001857.6 | 申请日： | 2005-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1734784A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡铭仁;徐振富 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括用以控制此器件的栅极、形成于第一类型阱中并且用以连接至栅极的漏极、与漏极形成电流通路的源极、以及沉积于栅极与漏极间的第一场氧化区域。形成栅极并且覆盖于第一类型阱的第一部分及第二类型阱的沟道部分上方。LDMOS还包括沉积于漏极边缘与第二类型阱间的第二场氧化区域。形成虚拟多晶硅层以覆盖几近一半的第二场氧化层，并且借助虚拟多晶硅层的剩余部分来覆盖第二类型阱的第二部分，以降低漂移区域中的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 ldmos 集成电路 技术 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体晶体管器件，包括：多个阱，所述多个阱包括第一类型阱及与第一类型阱相反的第二类型阱；栅极，用以控制该金属氧化物半导体器件；漏极，与栅极相连接，并且形成于第一类型阱中；源极，与漏极形成电流通路；第一场氧化区域，沉积于栅极与漏极之间，其中该栅极形成于第一类型阱的第一部分及第二类型阱的沟道部分的上方；以及第二场氧化区域，沉积于漏极与连接至第二类型阱的基部防护环之间，其中虚拟多晶硅层覆盖于几近一半的第二场氧化区域上方，借助该虚拟多晶硅层剩下的部分以覆盖于第二类型阱的第二部分。
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