[发明专利]磁控溅射制造工艺有效
申请号: | 200510002949.6 | 申请日: | 2005-01-27 |
公开(公告)号: | CN1811010A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 李育舟;锺享显;许泓译 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈星 |
地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种磁控溅射制造工艺,包括下列几个步骤。首先,提供反应腔室,其至少包括基板座、靶材以及磁控装置,其中此靶材之材质包括铝或铝合金或是熔点大于铝或铝合金的金属材质。接着,将基板移至此基板座上,之后将反应腔室的压力调整至0.1pa~0.35pa之间,使得基板上形成薄膜。通过将反应腔室的压力调整至0.1pa~0.35pa之间,来进行基板溅射制造工艺,即可使沉积的薄膜连续地形成于基板上,以避免产生爬坡断线现象,进而提高基板镀膜的成品率。 | ||
搜索关键词: | 磁控溅射 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种磁控溅射制造工艺,其特征是包括:提供反应腔室,其中所述反应腔室至少包括基板座、靶材以及磁控装置;将基板移至所述基板座上;以及将所述反应腔室的压力调整至0.1pa~0.35pa之间以进行沉积制造工艺,使得在所述基板上形成薄膜。
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