[发明专利]半导体存储装置的内部电压产生电路

摘要

本文揭示了一种半导体存储装置的内部电压产生电路，其能够根据该存储装置的不同运行模式将不同电平的电压供应给该存储装置中的列路径和控制逻辑以及数据路径和控制逻辑。当该列路径和控制逻辑以及该数据路径和控制逻辑处于存储装置的电流运行模式时，其施加有一正常运行电压，而当其不处于电流运行模式时，其施加有一较低电压。因此，本发明具有有效管理半导体存储装置的内部电压以及减少存储装置的电流泄漏且又能减少其不必要的功率消耗的效果。

主权项

1.一种半导体存储装置的内部电压产生电路，其包含：参考电压产生部件，其用于产生一参考电压，以作为一用于内部电压供应的控制信号；第一内部电压产生部件，其用于响应来自该参考电压产生部件的该参考电压，而产生一所要电平的一第一内部电压；以及第二内部电压产生部件，其对由一指示一激活模式的激活控制信号与一指示一刷新模式的刷新控制信号的一逻辑运算而产生的一启动信号以及来自该参考电压产生部件的该参考电压作出响应，用于当该存储装置处于该激活模式时产生具有与该第一内部电压的电平相同的电平的一第二内部电压，且当该存储装置处于包括该刷新模式的任何其它模式时产生具有比该第一内部电压的电平低的一电平的一第三内部电压。