[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510005873.2 申请日: 2005-01-27
公开(公告)号: CN1649139A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 三原一郎 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体器件及其制造方法。对在底板(1)上设有被称作半导体构成体(2)、在半导体构成体(2)周围的底板(1)上设有绝缘层(13)、在半导体构成体(2)和绝缘层(13)上设有上层布线的半导体器件,谋求薄型化。在预浸料坯材形成的底板(1)的上表面,固着半导体构成体(2)的硅衬底(3)的下表面。这样,与在底板(1)的上表面间隔着由接合材料等形成的粘接层来粘接半导体构成体(2)的硅衬底(3)的下表面的情况相比较,可以减薄与粘接层的厚度相当的量。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体器件,其特征在于包括:底座部件(1),由至少包括热固化性树脂的材料形成;至少一个半导体构成体(2),被搭载在上述底座部件(1)上,而且具有半导体衬底(3)和设置在该半导体衬底(3)上的多个外部连接用电极(4、11);绝缘层(13),被设置在上述半导体构成体(2)周围的上述底座部件(1)上;以及至少一层的布线(17),被设置在上述半导体构成体(2)和上述绝缘层(13)上,与上述半导体构成体(2)的外部连接用电极(4、11)连接,而且具有连接焊盘部;上述半导体衬底(3)通过上述底座部件(1)的固着力被固着在上述底座部件(1)上。
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