[发明专利]一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法

摘要

本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现曝光50nm图形的方法，涉及电子束光刻技术领域。该方法包括：采用合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进行适当的修正；消除场拼接对图形质量的影响；合适的邻近效应参数；优化的显影条件等特点，最终制备出分辨率非常高的50nm图形。本发明方法，大大提高了SAL601化学放大抗蚀剂的分辨率，使我们在无法购买到更高分辨率抗蚀剂的情况下也能曝光出分辨率非常高的图形。本发明方法是一种经济实用的制造50nm图形的新方法，为进一步研制亚50nm器件打下了良好基础。

主权项

1.一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法，具有合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进行适当的修正；消除场拼接对图形质量的影响；合适的邻近效应参数；优化的显影条件等特点，且制备出分辨率高的亚50nm图形；其特征在于，包括下列步骤：第一步，调整电子束曝光机：a.对曝光图形按电子束曝光机的最小曝光跳步设置；b.将第五透镜用作工作透镜；c.采用变剂量方法，确定前、背散射系数和其比例系数α、β和η，并用α、β和η参数对曝光图形进行邻近效应修正，得到剂量参数修正表；d.将剂量参数修正表输入到曝光作业文件中；第二步，准备电子束曝光基片，在经常规清洗过的基片上，用光学方法制造整场和每个子场标记；第三步，在第二步所得基片上，涂覆SAL601抗蚀剂；第四步，对第三步所得基片，用严格控制温度的热板进行前烘后，自然冷却，再装入电子束腔体，进行电子束曝光；第五步，将曝光后的基片用热板进行后烘，再自然冷却；第六步，对第五步所得基片进行显影后，得到分辨率非常高的亚50nm图形；第七步，将第六步所得基片用去离子水冲洗干净，用电子显微镜测量曝光后的图形。