[发明专利]在感应耦合等离子体刻蚀中保护刻蚀结构的方法无效
| 申请号： | 200510012079.0 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1891617A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;张大成;王阳元;张兴;李婷;田大宇;罗葵;王兆江;于晓梅;杨芳;李修函;刘晓娣 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 耦合 等离子体 刻蚀 保护 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在感应耦合等离子体刻蚀中保护刻蚀结构的方法，包括在感应耦合等离子体ICP刻蚀中增加以下步骤：(1)ICP刻蚀硅结构，但不穿通，形成台阶；(2)在硅结构上淀积氧化硅或热氧化形成氧化硅；(3)各项异性刻蚀硅结构表面的氧化硅，硅结构的侧壁形成保护层；(4)ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510012079.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
