[发明专利]太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法无效

专利信息
申请号: 200510019798.5 申请日: 2005-11-14
公开(公告)号: CN1760405A 公开(公告)日: 2006-04-19
发明(设计)人: 吴大维;吴越侠;徐建平 申请(专利权)人: 吴大维
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/56
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 代理人: 黄瑞棠
地址: 430071湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法,涉及能源新材料领域中太阳能电池纳米晶硅薄膜的制作方法;本发明是基于真空镀膜机采用物理气相沉积(PVD)方法沉积纳米晶硅薄膜。其目的是这样实现的:一是设计沉积硅薄膜的真空镀膜机的配置,二是采用离子束方法沉积纳米晶硅薄膜、气相掺杂制备薄膜硅太阳能电池PIN结构的完整工艺。本发明获得纳米至微米尺度的结晶硅薄膜,对于提高硅太阳能电池的光电转换效率,解决非晶硅太阳电池光衰的技术难题和大规模地面应用有重大意义,对于解决制约硅太阳能电池发展的瓶颈,即硅材料的供应,发展节能型高效硅太阳能电池也有重大应用价值。
搜索关键词: 太阳能电池 纳米 薄膜 物理 沉积 装置 及其 方法
【主权项】:
1、一种太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置,包括真空镀膜机,真空镀膜机由真空室(3)、炉门(4)、抽气口(5)、工件架(6)、加热器(7)、配套电源和控制系统等组成;其特征在于:在炉门(4)和抽气口(5)处分别设置第一辅助源(1.1)和第二辅助源(1.2);在真空室(3)内靠外壁处,以炉门(4)和抽气口(5)中点连线为对称轴,右边设置有第一沉积源(2.1)、第二沉积源(2.2)、第三沉积源(2.3),左边设置有第四沉积源(2.4)、第五沉积源(2.5)、第六沉积源(2.6);在真空室3中央设置有加热器(7)。
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