[发明专利]金属氧化物薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200510021674.0 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1740377A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;陶伯万;陈寅;刘兴钊;朱俊;吴传贵;吴健 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 金属氧化物薄膜的制备方法，涉及材料技术，特别涉及超导带材氧化物过渡层薄膜的制备技术。采用本发明，能够快速生长具有良好的织构和高的表面平整度的氧化物薄膜。本发明包括以下步骤：1)在具有织构特性的金属基片上沉积金属薄膜，沉积方式为蒸发、溅射或脉冲激光沉积；2)氧化步骤1)制得的金属薄膜，通过氧分压、退火温度以及退火时间控制氧化物薄膜的取向和表面平整度，形成具有双轴织构特性的氧化物薄膜；3)降温。使用该方法制备的氧化物过渡层薄膜不仅具有良好的织构和高的表面平整度，而且沉积速率可达到0.3nm/s，为工业快速生长第二代高温超导带材氧化物过渡层薄膜提供了良好的实现途径。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、金属氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)在具有织构特性的金属基片上沉积金属薄膜，沉积方式为蒸发、溅射或脉冲激光沉积；2)氧化步骤1)制得的金属薄膜，通过氧分压、退火温度以及退火时间控制氧化物薄膜的取向和表面平整度，形成具有双轴织构特性的氧化物薄膜；3)降温。
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