[发明专利]超结半导体器件结构和方法有效
| 申请号： | 200510022822.0 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1822391A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 加里·H·莱厄切尔特;彼得·J·兹德贝尔;戈登·M·格里芙娜 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，在一半导体材料体中形成一个电荷补偿区。导电层和电荷补偿层耦合。在进一步的实验例中，电荷补偿区包括一由相反导电类型的半导体层填入的槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结开关器件，包括：半导体材料体；在该半导体材料体中形成的电荷补偿区；和第一导电层，形成在该半导体材料体上并和电荷补偿区耦合。
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