[发明专利]对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法有效
| 申请号： | 200510025350.4 | 申请日： | 2005-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1851556A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 姚峰英 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺的光刻曝光中的光刻机技术，具体涉及一种对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法。使用长掩模版可以提高两次曝光的效率，但加长的掩模版存在重力下垂导致的聚焦面不一致。使用本发明的对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法，很好的解决了长掩模版的重力下垂导致的聚焦平面弯曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 曝光 聚焦 平面 校正 调整 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法，包括如下步骤：(1)提供宽度方向为100mm到300mm，长度方向为200mm到500mm的长掩模版；(2)在光刻机上测量所述长掩模版夹持后使用标准镜头沿扫描缝方向的调整前聚焦特性曲线；(3)对调整前聚焦特性曲线相对于理想水平面做镜像映射，得到补偿镜头聚焦曲线；(4)调节镜头像面弯曲控制组件，使沿扫描缝方向的调整后聚焦特性曲线与所述补偿镜头聚焦曲线相符合，完成焦距校正。
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